FD-SOI meistert die Herausforderung

In den letzten Tagen haben die beiden größten Chiphersteller der Welt neue stromsparende 22nm-Prozesstechnologien angekündigt. Wir freuen uns, dass andere Hersteller unserem Beispiel folgen. Vor fast zwei Jahren haben wir unsere 22FDX-Technologie für drahtlose, batteriebetriebene intelligente Systeme eingeführt.

Während sich andere nur darauf konzentrieren, mehr digitale Leistung aus der Bleeding Edge herauszuholen, haben wir uns bei GF mit 22FDX auf Metriken auf Systemebene konzentriert. Der 22-nm-Knoten wird jetzt zu einem der größten Schlachtfelder in der Halbleiterindustrie, was die beispiellose Innovation zeigt, die an fortgeschrittenen Knoten stattfindet, die ein oder zwei Schritte von der Spitze entfernt sind.

Wir haben uns für FD-SOI gegenüber Bulk-Planar oder FinFET entschieden, weil es für diese Anwendungen die beste Kombination aus Leistung, Stromverbrauch und Fläche bietet. 22FDX ist in mehreren Bereichen von allen konkurrierenden 22-nm-Technologien unübertroffen:

  • Die niedrigste Betriebsspannung (0,4 Volt)
  • Die kostengünstigste CPP- und MX-Skalierung
  • Die niedrigste Maskenanzahl
  • Die beste RF-Leistung
  • Die einzige Technologie, die softwaregesteuertes Body-Biasing für Transistoren bietet

Und während andere ihre Angebote jetzt ankündigen, ist 22FDX in unserer Fab 1 in Dresden, Deutschland, vollständig für die Produktion qualifiziert. Wir verzeichnen eine starke Kundennachfrage mit mehr als 50 aktiven Aufträgen in wachstumsstarken Bereichen wie Mobile, IoT und Automotive.

Wir sind nicht nur Delivering 22FDX jetzt, aber wir investieren in die Zukunft. Im September letzten Jahres haben wir eingeführt eine Erweiterung unserer FDX-Roadmap mit unserer nächsten Generation, der 12FDX-Plattform, die als einzige Technologie die Design-Flexibilität und die Kosten eines planaren Prozesses bis hinunter zu 12nm bietet und gleichzeitig eine Leistung auf 10nm FinFET-Niveau aufweist. Wir erwarten, dass andere unserem 12FDX-Vorsprung folgen werden!

Außerdem investieren wir erheblich in unsere Kapazitäten. In Deutschland bauen wir die 22FDX-Kapazität aus und planen, die Gesamtkapazität der Fabrik bis 2020 um 40 Prozent zu erhöhen. Und in China haben wir kürzlich eine Partnerschaft für den Bau einer 300-mm-Fertigung in Chengdu angekündigt, um das Wachstum des chinesischen Halbleitermarktes zu unterstützen und die steigende globale Kundennachfrage nach 22FDX zu befriedigen.

Nicht zuletzt bildet sich rund um FDX ein robustes Design- und IP-Ökosystem heraus. Vor kurzem haben wir unser FDXcelerator™-Partnerprogramm ins Leben gerufen, das darauf abzielt, die Markteinführungszeit für Kunden zu verkürzen und eine schnellere Migration zu FD-SOI von Bulk-Knoten wie 40nm und 28nm zu ermöglichen. Seit dem Start vor nur sechs Monaten haben sich mehr als 20 Partner diesem Ökosystem angeschlossen.

Die Begeisterung für FDX nimmt eindeutig zu, und der Wettbewerb wird härter. FD-SOI gilt schon lange als "Technologie der Zukunft", aber jetzt kommen alle Puzzleteile zusammen, um das Versprechen von FD-SOI HEUTE Wirklichkeit werden zu lassen.

 

Über den Autor

Alain Mutricy

Alain Mutricy ist der SVP, Product Management Group, bei GLOBALFOUNDRIES. In dieser Funktion ist er seit 2016 für die Leitung der Bereiche Produktmanagement, Programmmanagement, strategisches Marketing und Design Enablement verantwortlich.

Alain ist eine erfahrene Führungskraft mit mehr als 25 Jahren Erfahrung im allgemeinen Geschäftsmanagement und im Management komplexer technologischer Produktlinien in der Unterhaltungselektronik-, Mobilfunk- und Halbleiterindustrie.

Vor seiner jetzigen Tätigkeit war Alain als Gründer und Berater von AxINNOVACTION tätig, einem Unternehmen, das Maßnahmen zur Freisetzung und Beschleunigung von Innovationen in großen Unternehmen fördert und einen maßgeschneiderten Strategierahmen für die Entwicklung neuer Produkte vorschlägt.

Alain war außerdem Mitbegründer und CEO von Vuezr, Inc., Senior Vice President, Portfolio- und Produktmanagement, und Senior Vice President, Motorola Handsets Platform Technology, bei Motorola Mobile Devices, sowie Vice President bei Texas Instruments, wo er die Bereiche Mobilfunk-Chipsätze und OMAP leitete.

Alain hat einen MBA-Abschluss (Cum Laude) der HEC-Gruppe in Paris, Frankreich, und einen Master-Abschluss in Maschinenbau und Elektrotechnik der A&M Paris-Tech. Alain ist auch ein Gründungsmitglied der MIPI-Allianz, ein früher Direktor der Open Mobile Alliance und war Vorstandsmitglied von UIQ AB.