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55 BCDLite解决方案帮助格芯®(GLOBALFOUNDRIES®)进一步巩固 在移动设备音频放大器领域的领先地位

格芯55 BCDLite解决方案的出货量超过30亿颗,目前市场上7款领先的高端智能手机中就有5款采用了该解决方案 新加坡,2020年11月3日 – 作为全球领先的特殊工艺半导体代工厂,格芯®(GLOBALFOUNDRIES®,GF®)今日在全球技术大会(GTC)亚洲活动上宣布,其55 BCDLite®专业半导体解决方案的出货量已超过30亿单位,目前市场上7款领先的高端智能手机中就有5款采用了该方案。 55 BCDLite专业解决方案建立在格芯成熟的55nm平台上,并经过了优化,可在0.9V至30V的电压范围内工作,并为移动音频应用提供出色的音频放大器性能。55BCDLite解决方案对低功耗逻辑、出色的低漏源极导通电阻和先进的电源监控进行了微调,能够提供出色的音质,延长电池寿命,提高集成度和面积效率,并支持嵌入式存储器功能。 BCDLite于2018年第四季度开始量产,格芯德国德累斯顿Fab 1和格芯新加坡Fab 7均有生产。  Cirrus Logic首席执行官Jason Rhode表示:“全球智能手机市场不断推出令消费者兴奋的创新外形设计,并在用户的音频和触觉体验方面持续创新。多年来,格芯®一直是Cirrus Logic的重要合作伙伴,格芯对55 BCDLite的持续创新将在未来几年中帮助我们取得更大的增长和成功。” 格芯移动和无线基础设施业务部高级副总裁Bami Bastani表示:“大众所喜爱的智能手机功能,包括出色的声音、清晰的显示、可靠的连接性等,很多都是通过格芯®芯片实现的。我们是手机市场专业半导体解决方案领域当之无愧的领先企业。我们的55 BCDLite解决方案提供了丰富的功能,并针对移动音频的要求进行了专门优化,它进一步巩固了我们在该领域的领先地位。我们很荣幸能够与Cirrus Logic这样充满活力的创新型公司开展长期合作,我们期待与该公司一起在移动音频领域保持行业领先地位。” […]

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Dialog Semiconductor授权格芯在22FDX平台上使用非易失性阻性RAM技术,旨在推动物联网和人工智能的发展

英国伦敦和加州圣克拉拉,2020年10月19日 — 电池和电源管理、Wi-Fi®和蓝牙®低能耗(BLE)以及工业边缘计算解决方案的领先供应商DIALOG SEMICONDUCTOR(XETRA代码:DLG)与全球领先的特殊工艺半导体代工厂格芯®(GLOBALFOUNDRIES®,GF®)今日宣布,双方已达成协议,Dialog将其导电桥接RAM (CBRAM)技术授权给格芯®(GLOBALFOUNDRIES®)。这种阻性RAM(ReRAM)技术由Adesto Technologies公司开创,该公司最近被Dialog Semiconductor收购。格芯®(GLOBALFOUNDRIES®)将首先在其22FDX®平台上提供Dialog的CBRAM技术,作为嵌入式非易失性存储器(NVM)选项,并计划扩展到其他平台。 Dialog经过生产验证的专有CBRAM技术是一种低功耗NVM解决方案,旨在支持物联网、5G连接、人工智能(AI)等一系列应用。CBRAM具备低功耗、高读/写速度、低制造成本以及对恶劣环境的耐受性,因此特别适合消费电子、医疗以及部分工业和汽车应用。此外,CBRAM技术还能为这些市场的产品所需的先进技术节点提供高性价比的嵌入式NVM。 Dialog Semiconductor企业发展高级副总裁兼工业混合信号业务部总经理Mark Tyndall表示:“CBRAM是Adesto标志性存储器技术之一,也是Dialog产品组合的颠覆性新产品。与格芯建立新的授权合作关系,体现了Dialog和Adesto携手开创新事业的迅捷速度。 展望未来,我非常看好我们与格芯的紧密合作关系。这项协议不仅能够为行业提供先进的技术,而且还使Dialog有机会在下一代片上系统(SoC)采用领先的CBRAM技术。” 格芯高级副总裁兼汽车、工业和多市场总经理Mike Hogan表示:“我们与Dialog的合作关系表明,格芯致力于加大投资力度,进一步为客户提供差异化的增值产品。Dialog的ReRAM技术为我们领先的eNVM解决方案系列提供了有力补充。该存储器解决方案与我们的FDX™平台相结合,能够帮助我们的客户推陈出新,提供新一代安全物联网和边缘人工智能应用。” Dialog的CBRAM技术克服了ReRAM经常面临的集成与可靠性挑战,提供了可靠的低成本嵌入式存储器,同时支持ReRAM在低电压下工作。这意味着需要比标准嵌入式闪存产品写入和读取访问耗能更低。 CBRAM将于2022年作为格芯22FDX平台的嵌入式NVM选项投入生产,供格芯客户使用。客户可以借助IP定制服务,对CBRAM单元进行修改,以优化其SoC设计,增强安全性,甚至调整单元以满足新应用的需求。此外,作为“后端制程”技术,CBRAM更容易集成到其他技术节点。 如需了解更多关于Dialog CBRAM技术的信息,请点击此处。 如需了解更多关于格芯®(GLOBALFOUNDRIES®)22FDX平台的信息,请点击此处。 Dialog、Dialog徽标和CBRAM是Dialog […]

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格芯®(GLOBALFOUNDRIES®)将通过22FDX平台的自适应体偏置功能推动物联网和可穿戴设备的创新

3从事物联网、可穿戴设备、射频和边缘计算的格芯客户利用ABB技术,借助22FDX平台的超低功耗和低漏电功能进一步提升设计效率 德国德累斯顿,2020年10月15日 – 作为全球领先的特殊工艺半导体代工厂,格芯®(GLOBALFOUNDRIES®,GF®)今天在全球技术大会(GTC)欧洲、中东和非洲(EMEA)活动上宣布,将通过先进的22FDX®平台的专业自适应体偏置(ABB)功能,进一步推动物联网和可穿戴设备市场的创新。  ABB功能使设计人员在微调电路的晶体管阈值电压时获得更高的精度,更有效地优化芯片的性能、功耗、面积和可靠性,以满足特定应用的需求。从事物联网、可穿戴设备、可穿戴音频设备、射频和边缘计算的格芯客户利用ABB技术,借助22FDX平台的超低功耗和低漏电功能进一步提升设计效率。  GreenWaves Technologies首席执行官Loic Lietar表示:“GreenWaves的GAP物联网应用处理器使开发人员能够将复杂的超低延迟、信号处理和人工智能集成到能源极为有限的设备中,如可穿戴设备和物联网传感器产品。我们的GAP9物联网应用处理器建立在格芯的22FDX平台上。我们利用22FDX的自适应体偏置功能来缩小我们的核签裕量,这是优化设计以实现超低功耗的重要因素,从而支持开发人员将下一代智能设备推向市场。” Perceive首席执行官Steve Teig表示:“Perceive的边缘推理处理器Ergo为物联网设备提供了大型神经网络的能力,同时增强了安全性和隐私性。得益于小尺寸和超高能效,Ergo具备更长的电池寿命,产热更少,并支持创新的产品设计和封装。格芯22FDX平台拥有大量的功率,具备功率优势、低泄漏和自适应体偏置功能,非常适合我们这样的物联网应用。” ABB功能是一种全新的方式,帮助格芯扩展22FDX平台的价值、高性能、超低功耗和广泛集成能力。迄今为止,格芯的22FDX平台已经实现了45亿美元的设计创收,向全球客户交付了超过3.5亿枚芯片。 格芯高级副总裁兼汽车、工业和多市场总经理Mike Hogan表示:“格芯差异化的22FDX平台具备出色的性能、功耗和广泛的功能集成能力,是物联网、可穿戴设备、边缘人工智能等令人兴奋的应用设计者和创新者的理想解决方案。”例如,平台允许客户利用体偏置技术的优势,进一步提高设备的性能、效率并延长电池寿命,这也说明格芯推动行业将前沿连接技术扩展至全面实现的全球物联网。” 广泛的ABB功能得益于格芯强大的IP和EDA工具合作伙伴生态系统的支持,22FDX工艺设计套件(PDK)中包含了体偏置功能。大多数广泛采用的成熟建模、设计和验证工具都经过了准备测试,以支持格芯客户利用22FDX平台的成熟ABB功能。 格芯客户设计实现高级副总裁Mike Cadigan表示:“格芯的生态系统合作伙伴发挥了关键作用,使设计人员能够在芯片中无缝、有效地实施ABB。格芯的生态系统合作伙伴通过创新的IP和EDA工具支持,为ABB创建了IP模块和端到端实现流程,以及静态体偏置,涵盖一系列应用。”      合作伙伴正面评价: Cadence […]

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