IMS 2022

IMS致力于讨论所有关于微波和射频的问题,包括许多专注于GF技术和解决方案的会议,这些技术和解决方案由GF实验室开发。

由GF团队提出的三个研讨会/会议

亚历克斯-马戈梅诺斯太空中的比特。为未来40亿用户提供连接服务WMB-3研讨会6月20日
Purushothaman Srinivasan用于5G毫米波应用的45纳米CMOS 39-GHz功率放大器的卓越可靠性和低自热性RFIC会议RMo4B6月20日
薛维塔-霍卡莱在45纳米PDSOI CMOS中具有325/475GHz fT/fMAX和20GHz 0.47dB NFMIN的LNFET器件用于SATCOM应用RFIC会议RTu3B6月21日

30多篇详细介绍GF技术和解决方案的论文

作者会议机构技术标题
VoinigescuTu2E-5多伦多大学22nm用于单片式量子处理器的22纳米FDSOI CMOS低温紧凑型毫米波宽带SPST开关
吕伯奢WSG-4加州大学旧金山分校22nm用于6G毫米波无线通信的下一代相控阵
李宗浩We2C-4多伦多大学22nm采用升压卷积神经网络的T型线圈增强型ESD电路的设计和优化
VoinigescuWe2F-1多伦多大学22nm用于OFDM雷达网络的W波段有源中继器阵列和认知型接收机
R 汉WSH-1麻省理工学院22nm争取在次太赫兹下实现高角度分辨率的雷达成像
格弗斯We3D-3柏林工业大学22nm在22纳米FDSOI中利用后门控制调整增益的全差分146.6-157.4GHz LNA
邓小平WSF-8都柏林大学学院22nm在量子SoC中实现数百万个Qubits的目标
Michele SpasaroWe4D-3Aarhus Univ.22nm用于低功耗锥形毫米波5G/6G相控阵接收器的22纳米FDSOI CMOS中的亚毫瓦30GHz可变增益LNA
王华Tu2D-4NOV45纳米 采用45纳米CMOS SOI的DC-50GHz DPDT开关,IP1dB大于27dBm
艾哈迈德-恰勒-乌鲁索伊钍3E-2密歇根州立大学45纳米采用45纳米SOI的18-50GHz两相混频先导接收机前端
巴克沃特Th3E-3USCB45纳米使用无源负载调制的GaN和SOI可重新配置的毫米波功率放大器
吕伯奢WSE-5加州大学旧金山分校45纳米45纳米CMOS RFSOI中的高效率D波段多路功率组合放大器
巴克沃特WME-3UCSB45纳米全双工无线电的码域信号处理的应用
王华RMo1B-1NOV22nm22纳米CMOS FDSOI中具有4.5K噪声温度和噪声功率匹配的4.2-9.2GHz低温变压器反馈低噪声放大器
里斯金We1B-1卢万大学22nm后门结点电阻对FD-SOI MOSFET交流特性的影响 
吕伯奢RMo1A-5加州大学旧金山分校45纳米45RFSOI中具有8GHz瞬时中频带宽的8-30GHz无源谐波抑制混频器
Rebeiz, LiWSG-6加州大学旧金山分校22纳米,45纳米用于6G毫米波无线通信的下一代相控阵 - 22纳米
伊萨科夫,维格尔Tu4D-3埃尔朗根-纽伦堡大学22nm采用FDSOI的面积效率高的低功耗毫米波PRBS发生器
Sengupta, Zheng LiuWe02C-1普林斯顿大学SiGe HP深度学习支持的30-94GHz Psat, 3dB SiGe PA的逆向设计
巴克沃特图4D-2UCSB矽谷9HP采用90纳米SiGe HBT技术的高能效、60Gbps可变跨阻抗光接收机
Sengupta, Zheng LiuWe1G-1普林斯顿大学SiGe HP紧凑型SiGe堆叠共基双频功率放大器,在36/64 GHz下具有20/18.8dBm的功率,支持并发调制
波佐尔基RM04A-1硅奥地利实验室22nm利用自适应后门偏压技术,22纳米FD-SOI CMOS双路D波段功率放大器在9.6dBm OP1dB时实现7.7%的PAE,在6dB Back-Off时实现3.1%的PAE
 P.斯里尼瓦桑RMo4B-2基金会45纳米用于5G毫米波应用的45纳米CMOS 39GHz功率放大器的卓越可靠性和低自热性
R.Bogdan StaszewskiRTu4B-2都柏林大学学院22nm基于晶体振荡器波形的数字-时间转换器,在22纳米FD-SOI CMOS中实现86fs抖动
李书阳,陈伟Rtu4B-2清华大学。22nm采用22纳米FD-SOI CMOS的5.1dBm 127-162GHz频率的塞克图勒,带宽带补偿变压器的平衡器
贝罗斯托茨基RTu1A-4卡尔加里22nm一种输入功率在6.1-38.6GHz范围内匹配的低噪声放大器,噪声系数最小为1.9dB,并采用背门进行匹配
法格RMo3B-3查尔姆斯22nm使用分段式非线性RF-DAC和非重叠LO信号的11GS/s 2×10b 20-26GHz调制器
王华RMo1B-1NOV22nm采用22纳米CMOS的4.2-9.2GHz低温变压器反馈低噪声放大器,具有4.5K噪声温度和噪声功率匹配功能
里斯金RM02B-2卢万大学22nm基于22纳米FD-SOI SLVT NFET的DC-120GHz SPDT开关,带衬底隔离环,可提高分流阻抗
H.KrishnaswarmyRMo2A-3哥伦比亚大学45纳米采用45纳米RF SOI的60GHz相控阵收发器芯片组,采用基于HRM的频率交错进行信道聚合
Hamani, et alRM02A-5CEA-Leti45纳米在45纳米RFSOI中使用带集成多路生成器的RX-TX封装系统的56.32Gb/s 16-QAM D波段无线链路
王华RTu1B-3NOV45纳米紧凑的单变压器基底混合电流-电压数字多赫迪功率放大器
S.JainRTu3B-1基金会45纳米在45纳米PDSOI CMOS中具有325/475GHz fT /fMAX和20GHz 0.47dB NFMIN的LNFET器件,用于卫星通信应用
Ouvrier-Buffet, et alRTu3B-4CEA-Leti45纳米用于基于门的自旋立方体读出的多音调频率发生器
王华RTu4A-4NOV45纳米仅使用一个波束形成器和一个单线接口的26-33GHz时间调制频谱-空间映射MIMO接收器阵列,具有并发的可引导多波束功能