2014年4月17日共享技术使美国和韩国拥有14纳米FinFET制造的全球产能 韩国首尔和美国加州圣克拉拉。2014年4月17日--三星电子有限公司和GLOBALFOUNDRIES今天宣布了一项新的战略合作，为14纳米（nm）FinFET工艺技术提供全球产能。这是第一次，业界最先进的14纳米FinFET技术将在三星和GF同时提供，为客户提供供应保证，而这种保证只能来自全球多个来源的真正设计兼容性。这项新的合作将利用两家公司的全球领先的半导体制造能力，在三星位于韩国华城和德克萨斯州奥斯汀的工厂以及GF位于纽约州萨拉托加的工厂进行批量生产。 由三星开发并授权给GF的14纳米FinFET工艺是基于一个技术平台，该平台已经成为大批量、高能效系统级芯片（SoC）设计的领先选择。该平台利用三维、完全耗尽的FinFET晶体管的优势，克服了平面晶体管技术的局限性，与工业界20纳米平面技术相比，速度可提高20%，功耗可降低35%，面积可扩大15%。 该平台是代工行业中第一个从20纳米提供真正面积扩展的FinFET技术。该技术具有更小的接触门间距，可实现更高的逻辑封装密度和更小的SRAM位元，以满足先进SoC中对存储器内容日益增长的需求，同时仍利用20纳米的成熟互连方案，提供FinFET技术的优势，并降低风险和加快上市时间。 通过这项多年的独家技术授权，现在可以提供工艺设计套件（PDK），使客户可以利用基于14纳米FinFET测试芯片的硅结果开发的模型、设计规则手册和技术文件开始设计。14纳米FinFET技术的大规模生产将于2014年底开始。 "AMD高级副总裁兼全球业务部总经理Lisa Su表示："这种前所未有的合作将带来14纳米FinFET技术的全球产能布局，为AMD提供更强的能力，将我们的创新IP引入前沿技术的硅片。"GF和三星正在进行的工作将帮助AMD提供我们的下一代突破性产品，这些产品的处理和图形功能达到了新的水平，这些设备包括低功耗移动设备、下一代密集型服务器和高性能嵌入式解决方案。" "这项战略合作将单一GDSII多源的价值主张扩展到了FinFET节点。通过这个真正的多源平台，三星和GF使无晶圆厂的半导体公司能够轻松获得FinFET技术，并提高首次硅的成功率，"三星电子部设备解决方案部系统LSI业务总裁Stephen Woo博士说。"通过这次合作，我们正在推进代工业务和支持模式，以满足客户一直以来的要求。" "GF首席执行官Sanjay Jha说："今天的声明进一步证明了合作对于实现半导体制造业持续创新的重要性。"通过这次业界首次对14纳米FinFET生产能力的调整，我们可以为全球领先的无晶圆厂半导体公司提供更大的选择和灵活性，同时帮助无晶圆厂行业保持在移动设备市场的领先地位。" 关于三星电子有限公司 三星电子有限公司是全球技术领域的领导者，为世界各地的人们带来新的可能性。通过不懈的创新和探索，我们正在改变电视、智能手机、平板电脑、照相机、家用电器、打印机、LTE系统、医疗设备、半导体和LED解决方案的世界。我们在80个国家拥有286,000名员工，年销售额达2,167亿美元。要了解更多信息，请访问www.samsung.com。 * 编者注：三星电子的代工业务致力于支持无晶圆厂和IDM半导体公司，提供包括设计套件和成熟的IP在内的全面服务解决方案，以实现先进的IC设计的市场成功。欲了解更多信息，请访问www.samsung.com/Foundry 关于GF GF是世界上第一家提供全面服务的半导体代工企业，其业务范围真正覆盖全球。公司于2009年3月成立，迅速形成规模，成为全球第二大代工厂，为160多家客户提供先进技术和制造的独特组合。通过在新加坡、德国和美国的运营，GF是唯一一家能够提供跨越三大洲的制造中心的灵活性和安全性的代工厂。公司的三座300毫米晶圆厂和五座200毫米晶圆厂提供从主流到前沿的全部工艺技术。这一全球制造足迹得到了位于美国、欧洲和亚洲的半导体活动中心附近的主要研究、开发和设计设施的支持。GF由先进技术投资公司（ATIC）拥有。欲了解更多信息，请访问：https://www.globalfoundries.com。 联系方式。 Jason GorssGF518-305-9022[email protected] Lisa Warren-Plungy三星半导体408-544-5377[email protected] 点击这里访问新闻稿（PDF）点击这里访问概述报告（PDF）。
