GLOBALFOUNDRIES为下一代芯片设计巩固了14纳米FinFET设计基础设施

通过与设计生态系统合作伙伴的合作,GLOBALFOUNDRIES为客户提供了基于前沿技术的数字设计流程。

加州圣克拉拉市,2015年6月2日 --

  • 通过与领先的EDA供应商Cadence、Mentor Graphics和Synopsys合作,GF开发了新的数字设计流程。
  • 新的数字设计入门套件集成了工艺设计套件(PDK)和早期访问标准单元库。
  • 新的设计流程已经过优化,以解决与14纳米FinFET技术的关键设计规则有关的挑战。

先进半导体制造技术的领先供应商GF今天宣布,它在为其14纳米(nm)FinFET工艺技术提供强大的设计基础设施方面达到了一个关键的里程碑,支持客户在晶圆厂的最新制造技术节点上开始设计。

GF与主要的生态系统合作伙伴Cadence Design Systems、Mentor Graphics和Synopsys一起开发了新的数字设计流程,用于从寄存器传输级(RTL)到图形设计数据库系统(GDS)的实施。这些流程与技术成熟的工艺设计套件(PDK)和早期访问的标准单元库集成,创建了一个数字设计 "入门套件",为设计人员提供了一个内置的测试案例,用于开箱即用的物理实现测试和性能、功耗和面积分析。

"GF致力于为我们的客户提供先进的技术平台,包括优化设计生产力和周期所需的综合设计基础设施,"GF设计支持高级副总裁Rick Mahoney说。"为了确保我们的设计生态系统为我们的14纳米FinFET技术提供最优质的体验,GF与我们的EDA合作伙伴合作,以补充我们内部的全球设计能力,并加快14纳米FinFET等复杂技术的设计时间。"

GF的数字设计流程已经过优化,以解决与14纳米技术节点的关键设计规则相关的挑战,并包括新引入的功能,如植入感知的放置和双图案感知的路由、设计中DRC™修复和良率改进、局部/随机变异性感知的计时、3D FinFET提取和颜色感知的LVS/DRC签收。

基于Synopsys的设计启用入门套件利用其Galaxy™设计平台的广泛功能,提供具有优化性能、功耗和面积的GF 14LPP FinFET设计。Synopsys的Design Compiler®图形综合,加上其Formality®等效检查解决方案,通过提供与物理实现密切相关的物理指导和结果,简化了流程。对于FinFET的实施,Synopsys的IC Compiler™、IC Compiler II和IC Validator解决方案提供了植入式和双重图案感知的放置和路由,以及In-Design色彩感知的物理验证。Synopsys的StarRC™提取提供了双图案支持,对14纳米设计来说,色彩感知和3-D提取的建模是必不可少的。此外,行业标准的Synopsys PrimeTime®签收解决方案用于精确的延迟计算、时序分析和高级波形传播,准确地考虑到FinFET的影响,如超低电压、增加的米勒效应和电阻率,以及工艺变化。

为了使客户能够在设计层面实现GF的14LPP节点的优势,GF和Cadence已经合作为完整的RTL-to-GDSII FinFET解决方案创建了一个数字流程。该数字流程整合并优化了Cadence公司针对14LPP技术的前端、后端、物理验证和DFM解决方案。对于前端设计,Cadence的RTL Compiler综合流程通过14LPP库进行了微调。对于物理实现,Encounter®数字实现系统(EDI)和Innovus™实现系统都提供了颜色感知的双图案技术,用于正确的按结构放置和布线,以及14LPP设计规则和库的定制设置,以优化功率、性能和面积(PPA)。设计中的PVS DRC修复和设计中的石膏板热点修复都可供设计人员使用,以减少设计迭代,方便设计结束。对于签收,该流程具有完全集成的Quantus QRC寄生提取和Tempus定时签收解决方案。在EDI和Innovus中的集成使Quantus和Tempus能够在P&R流程中更早地提供先进的工艺建模,以实现更好的时序收敛和到带出时间。Encounter Conformal® Equivalence Checker被嵌入到实施流程的多个阶段中。Voltus功率和EMIR分析、独立的物理验证系统的物理验证和Litho物理分析器的印刷热点检查也被嵌入到参考流程中。该参考流程为Cadence的工具套件和GF 14LPP流程提供了一个指导性方法,以确保设计者以最小的启动时间达到最大的PPA包络。

与之前节点的生产带出一样,启动套件使用Mentor Graphics Calibre®工具套件进行签收。在14纳米入门套件中,Calibre nmDRC™和Calibre MultiPatterning产品被用于层分解、DRC验证和金属填充,而Calibre nmLVS™产品被用于逻辑验证。

GF 14纳米FinFET技术是业界最先进的技术之一,为要求最严格的大批量、高性能和高功率的SoC设计提供了理想的解决方案。三维FinFET器件为不断增长的市场需求提供了完美的答案,与28纳米技术相比,它具有最佳的内在性能提升,而且与任何前辈相比,它具有更高的功耗足迹。由于出色的功率、性能和面积扩展,这些领先的器件还提供了真正的成本优势。

GF正在其14纳米技术上获得收益,并按计划在2015年支持多种产品的带出和批量提升。

通过GF的设计合作伙伴生态系统,设计人员可以获得广泛的服务,如系统设计、嵌入式软件设计、SoC设计和验证以及物理实现。这些服务包括电子设计自动化(EDA)的设计流程;经过硅验证的IP构建块,如库;以及仿真和验证设计套件,即工艺设计套件(PDK)和技术文件。

关于GF

GF是世界上第一家提供全面服务的半导体代工企业,其业务范围真正覆盖全球。公司于2009年3月成立,迅速形成规模,成为全球第二大代工厂,为160多家客户提供先进技术和制造的独特组合。通过在新加坡、德国和美国的运营,GF是唯一一家能够提供跨越三大洲的制造中心的灵活性和安全性的代工厂。公司的三座300毫米晶圆厂和五座200毫米晶圆厂提供从主流到前沿的全部工艺技术。这一全球制造足迹得到了位于美国、欧洲和亚洲的半导体活动中心附近的主要研究、开发和设计设施的支持。GF为穆巴达拉发展公司所有。欲了解更多信息,请访问https://www.globalfoundries.com。

新闻联系人。

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