2013年2月5日客户可以在下一代移动设备的SoC中利用大规模并行多核技术 加州圣克拉拉，2013年2月5日--在今天的通用平台技术论坛上，GLOBALFOUNDRIES宣布与Adapteva合作，向使用GF领先的28纳米-SLP工艺技术的客户提供该公司的Epiphany IV微架构。该协议将使芯片设计者能够将Adapteva的大规模并行多核技术整合到他们的下一代系统芯片（SoC）设计中，使智能手机和平板电脑等移动设备具有服务器级别的性能。 Adapteva是一家私有的半导体技术初创公司，它与GF密切合作，优化了基于28纳米超低功耗（SLP）工艺的Epiphany IV设计，使Adapteva成为第一家展示以50 GFLOPS/Watt运行的处理器的公司。Adapteva与GF的合作使该公司在多代产品中大幅提高了能源效率，在从65纳米的16个内核到28纳米的64个内核的过程中，整体功耗保持在仅2瓦。 GF的28纳米-SLP技术非常适合于下一代智能移动设备，使设计具有更快的处理速度、更小的特征尺寸、更低的待机功耗和更长的电池寿命。该技术基于GF的 "栅极优先 "的高k金属栅极(HKMG)方法，该方法已经批量生产了两年多的时间。 Epiphany IV微架构是Adapteva的最新设计，包括64个高性能RISC内核，工作频率高达800MHz，而在最大程序活动下的功耗低于2瓦。该技术旨在作为低成本、低功耗的协处理器，与ARM或X86 CPU一起运行大规模并行任务。 "GF市场、销售、设计和质量执行副总裁Mike Noonen说："在GF，我们不断寻找机会为客户提供创新的硅解决方案，以帮助他们从其SoC设计中获得最大效益。"Adapteva的Epiphany IV处理器技术是并行计算领域的一项重大创新，我们很高兴能让我们的客户有机会在我们经过生产验证的HKMG工艺上利用这项技术。" "Adapteva公司首席执行官Andreas Olofsson说："我们与GF的紧密合作正在帮助我们向市场推出全新的多核微处理器类别。"Epiphany IV技术非常适合下一代移动SoC设计，使用GF的28纳米-SLP工艺使我们能够实现出色的性能和能源效率"。 在过去的三年里，Adapteva已经在GF的不同工艺节点上成功完成了四代Epiphany多核IP。2012年9月，该公司开始对其基于有限掩模集的第一代Epiphany IV产品进行采样。 关于GF GF是世界上第一家提供全面服务的半导体代工企业，其业务范围真正覆盖全球。公司于2009年3月成立，迅速形成规模，成为全球第二大代工厂，为160多家客户提供先进技术和制造的独特组合。通过在新加坡、德国和美国的运营，GF是唯一一家能够提供跨越三大洲的制造中心的灵活性和安全性的代工厂。公司的三座300毫米晶圆厂和五座200毫米晶圆厂提供从主流到前沿的全部工艺技术。这一全球制造足迹得到了位于美国、欧洲和亚洲的半导体活动中心附近的主要研究、开发和设计设施的支持。GF由先进技术投资公司（ATIC）拥有。欲了解更多信息，请访问：https://www.globalfoundries.com。
