2016年12月13日 经过验证的ASIC IP解决方案将为下一代高速应用带来显著的性能和功率效率提升 2016年12月13日，加利福尼亚州圣克拉拉市--GlobalFoundries今天宣布，它已经在公司的14纳米FinFET工艺上展示了真正的长距离56Gbps SerDes的硅性能。作为GF的高性能ASIC产品 FX-14™的一部分，56Gbps SerDes是为寻求提高功率和性能效率的客户设计的，同时处理最苛刻的长距离高性能应用。 FX-14产品提供了广泛的高速串行解串器（HSS）解决方案，是在该公司位于纽约州马耳他的Fab 8工厂的成熟的、经过生产验证的14纳米FinFET（14LPP）平台上制造的。高性能56Gbps的同类最佳架构提供了行业领先的抖动性能和均衡支持，在广泛的高速接口标准上提高了系统性能，并将为当前和未来的前沿网络、计算和存储应用实现高速连接和低功耗解决方案。 GF的56Gbps SerDes核心支持PAM4和NRZ信令，能够均衡超过35dB的插入损耗，消除了目前在最具挑战性的系统环境中采用的昂贵和耗电的中继器的需要。56Gbps SerDes具有突破性的架构，实现了市场领先的远距离性能，将超过新兴的50Gbps行业标准，如OIF CEI-56G-LR和IEEE 802.3cd。 "GF全球销售和业务发展高级副总裁Mike Cadigan表示："这一里程碑表明，我们有能力设计一流的ASIC解决方案，并在最苛刻的网络和数据中心应用中以极具竞争力的功率和面积提供业界领先的56Gbps性能。"在SerDes开发和ASIC专业技术方面的长期成功经验，与GF的14LPP技术相结合，使我们的客户能够通过集成的高性能内核，及时、经济地将新的应用推向市场。" "The Linley Group首席分析师Bob Wheeler说："网络带宽的爆炸性增长继续推动对具有行业领先的接口速度和密度的ASIC解决方案的需求。"GF提供了一个复杂的SerDes内核，使一流的ASIC解决方案能够快速上市，这将改善下一代网络设备的带宽容量、可扩展性和电源效率。" GF的FX-14设计系统扩展了该公司在HSS方面的领导地位，具有超高性能的56Gbps SerDes、PCI Express和多个30Gbps SerDes设计，并支持各种外部存储器接口。GF的嵌入式存储器解决方案包括业界速度最快、功耗最低的嵌入式TCAM，其性能比上一代产品提高了60%，漏电率降低了80%，同时还有密度和性能优化的SRAM。 目前，客户正在使用56Gbps和其他FX-14 SerDes内核，以14LPP工艺技术设计高级ASIC解决方案。目前，GF正在客户渠道展示其56Gbps SerDes，并将于2017年第一季度初开始出货开发板。对于下一代数据通信网络，GF正在开发一种先进的电气解决方案，以方便迁移，以及光学变体，使一系列广泛的技术实现112Gbps及以上。 关于GF GF是一家领先的提供全方位服务的半导体代工企业，为世界上一些最具灵感的技术公司提供独特的设计、开发和制造服务组合。在全球范围内，GF的制造足迹遍布三大洲，使改变行业的技术和系统成为可能，并使客户有能力塑造他们的市场。GF为穆巴达拉发展公司所有。欲了解更多信息，请访问https://www.gf.com。 联系方式：Erica McGillGF(518) 305-5978[email protected]
