GLOBALFOUNDRIES宣布推出业界首个300毫米SiGe代工技术，以满足日益增长的数据中心和高速无线需求

业界最先进的高速SiGe技术现在可以在300毫米生产线上用于太比特通信和汽车雷达应用

加州圣克拉拉，2018年11月29日 - GLOBALFOUNDRIES今天宣布其先进的硅锗（SiGe）产品9HP现在可以在公司的300毫米晶圆制造平台上进行原型开发。此举标志着数据中心和高速有线/无线应用的强劲增长，这些应用可以利用300毫米制造面积的规模优势。通过利用GF的300毫米制造技术，客户可以利用更高的生产效率和可重复性来实现高速应用，如光网络、5G毫米波无线通信和汽车雷达。

GF是在佛蒙特州伯灵顿的200毫米生产线上制造高性能SiGe解决方案的行业领导者。9HP是一种90纳米的SiGe工艺，在GF位于纽约州东菲什基尔的Fab 10工厂生产的300毫米晶圆上的迁移，延续了这种领导地位，并为进一步的路线图开发建立了一个300毫米的立足点，确保技术性能的持续提升和扩展。

"高带宽通信系统的复杂性和性能要求越来越高，因此需要更高性能的硅解决方案，"GF公司射频业务部副总裁Christine Dunbar说。"GF的9HP是专门为提供出色的性能而设计的，在300毫米的制造中，将支持我们的客户对高速有线和无线组件的要求，这将塑造未来的数据通信。" 

GF的9HP扩展了高性能SiGe BiCMOS技术的丰富历史，旨在支持下一代无线网络和通信基础设施在微波和毫米波频率上的极高数据速率的大规模增长，如太比特级光网络、5G毫米波和卫星通信（SATCOM）以及仪器和防御系统。该技术具有卓越的低电流/高频率性能，异质结双极晶体管（HBT）性能得到改善，与前代产品SiGe 8XP和8HP相比，最大振荡频率（Fmax）提高了35%，达到370GHz。

在纽约州东菲什基尔的10号工厂，目前正在多项目晶圆（MPW）上进行9HP的客户原型开发，计划在2019年第二季度推出合格的工艺和设计套件。

关于GF的SiGe解决方案的更多信息，请联系您的GLOBALFOUNDRIES销售代表或访问globalfoundries.com。

关于GF

GLOBALFOUNDRIES (GF)是一家领先的全方位代工企业，为一系列高增长市场提供真正与众不同的半导体技术。GF提供独特的设计、开发和制造服务组合，拥有一系列创新的IP和功能丰富的产品，包括FinFET、FDX™、RF和模拟混合信号。GF的生产基地横跨三大洲，具有灵活性和敏捷性，能够满足全球客户的动态需求。GF由穆巴达拉投资公司拥有。欲了解更多信息，请访问 globalfoundries.com。

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