2019年11月5日基于GF最先进的FinFET平台的下一代高带宽内存解决方案，旨在为基于云的AI应用提供容量、速度和功率 加州圣克拉拉和台湾新竹，2019年11月5日 - GLOBALFOUNDRIES®（GF®）和SiFive公司今天在台湾举行的GLOBALFOUNDRIES技术大会（GTC）上宣布，他们正在努力在GF最近发布的12LP+FinFET解决方案上通过高带宽内存（HBM2E）扩展高DRAM性能水平，并提供2.5D封装设计服务，以便为人工智能（AI）应用实现快速上市。 为了实现数据密集型人工智能培训应用的容量和带宽，系统设计者面临的挑战是在更小的面积上挤压更多的带宽，同时保持合理的功率曲线。SiFive在GF的12LP平台和12LP+解决方案上的可定制的高带宽内存接口，将使高带宽内存轻松集成到单个系统芯片（SoC）解决方案中，为计算和有线基础设施市场的人工智能应用提供快速、高效的数据处理。 作为合作的一部分，设计人员还将获得SiFive的RISC-V IP组合和DesignShare IP生态系统，该系统将利用GF的12LP+设计技术协同优化（DTCO），使他们能够显著提高硅的专业化程度，提高设计效率，并快速和经济地提供差异化的SoC解决方案。 "SiFive IP业务部副总裁兼总经理Mohit Gupta表示："在GF一流性能的12LP+解决方案上扩展SiFive的参考IP平台，采用HBM2E，为下一代SoC和加速器提供了新的性能和集成水平。"部署高度优化的芯片需要高度可定制的能力，以实现人工智能所需的更高的每毫瓦TOPS和低延迟性能，同时平衡低功耗和更小面积的需求。" "在GF，我们继续致力于提供差异化的FinFET特定应用解决方案和IP，使我们的客户能够为AI应用开发性能增强的产品，"GF计算和有线基础设施首席技术官Ted Letavic说。"利用GF最先进的FinFET平台和SiFive独特的设计方法，我们将共同开发独特的高性能边缘计算解决方案，使设计者能够充分利用数据洪流。" GF的12LP+是用于人工智能训练和推理应用的创新解决方案，为设计者提供了高速、低功耗的0.5Vmin SRAM位元单元，支持在处理器和存储器之间快速、省电地穿梭数据。此外，用于2.5D封装的新插板有助于将高带宽内存与处理器整合在一起，以实现快速、高能效的数据处理。 SiFive在GF的12LP和12LP+上的HBM2E接口和定制的IP解决方案现在正在纽约马耳他的GF工厂8进行开发。客户可以在2020年上半年开始优化他们的芯片设计，为高性能计算和边缘AI应用开发差异化的解决方案。 关于SiFive SiFive是基于自由开放的RISC-V指令集架构的市场就绪处理器内核IP和硅解决方案的领先供应商。在经验丰富的硅产品主管和RISC-V发明人团队的领导下，SiFive帮助SoC设计者缩短上市时间，并通过定制的、开放架构的处理器内核实现成本节约，同时通过让所有市场垂直领域的系统设计者建立基于RISC-V的定制半导体，实现优化硅的民主化。SiFive在全球设有15个办事处，得到了Sutter Hill Ventures、Qualcomm Ventures、Spark Capital、Osage University Partners、Chengwei、Huami、SK Hynix、Intel Capital和Western Digital的支持。欲了解更多信息，www.sifive.com。 关于GF GLOBALFOUNDRIES（GF）是世界领先的特种铸造厂。我们提供差异化的功能丰富的解决方案，使我们的客户能够为高增长的细分市场开发创新产品。GF通过独特的设计、开发和制造服务组合，提供广泛的平台和功能。凭借跨越美国、欧洲和亚洲的规模化生产基地，GF具有灵活性和敏捷性，能够满足全球客户的动态需求。GF由穆巴达拉投资公司拥有。欲了解更多信息，请访问globalfoundries.com。 联系。 Erica McGillGLOBALFOUNDRIES(518) 795-5240[email protected]
