2016年1月18日毫无疑问，物联网（IoT）有望成为微电子学的下一个重大应用。到2020年将有500亿台设备被连接起来--这就是物联网发展模式的愿景。 物联网系统将呈现出功能和形状的高度多样性。虽然有些系统可能很小，但其他系统可能会扩展到像今天的移动互联网的SoC系统一样大。问题是，我们如何解决物联网系统组件的问题，这些组件需要快速，但在不使用时消耗的静态待机功率低？ GLOBALFOUNDRIES 22FDX技术能很好地满足这种系统和成本要求。这种22纳米全耗尽SOI（FD-SOI）技术的决定性新特征是形成有源晶体管的薄硅层。在传统的 SOI 技术中，传统的晶体管是在一个孤立的井中形成的，在数字电路中通常是浮动的。FD-SOI 晶体管要薄得多，而且不需要形成井。此外，器件隔离要简单得多，这也减少了植入步骤。 而且，当工程师们考虑他们的下一个节点时，他们需要记住，22FDX流程提供了类似于FinFET的性能和超低功率，其成本与28纳米平面技术相当。以下是关于该技术的一些其他值得注意的数据点。 与28纳米高K金属门（HKMG）相比，功率降低70%。 比28纳米散装平面小20%的芯片 比FinFETs更低的芯片成本 创意设计者的沙盒 软件控制的体偏压，为管理高性能和低功耗提供了灵活的权衡，为22FDX的系统和电路设计提供了额外的自由度。可以在器件层面上进行实时的功耗权衡--主要是通过对主要功能块的供电。这就是为什么行业分析师Dan G. Hutcheson认为GF的22FDX将是一场 "重大革命 "的原因之一。 22FDX：同一芯片上有多个体偏和Vt点 此外，22FDX提供了设计灵活性和智能控制的能力，实现了过去无法实现的创新。这些能力包括。 硅片后调谐能够在保持高电路性能的同时降低功耗 集成的射频包括调谐 "旋钮"，可减少高达50%的射频功率，因此不需要单独的射频芯片。 22FDX技术的设计生态系统正在快速建立。11月，所有主要的EDA供应商，特别是Synopsys、Cadence和Mentor Graphics，宣布他们正在提供适应22FDX的工具套件。他们是生态系统的一个关键部分，这个生态系统正在扩大，以支持我们客户的成功。 从批量节点向22FDX的设计迁移 22FDX是一项具有强大前景的突破性技术，它通过缩小芯片尺寸、降低功耗、提高性能和增加功能来扩展摩尔定律，而且无需更复杂的制造工艺。 GF公司CMOS平台业务部总经理副总裁Subramani Kengeri将于2016年1月21日星期四在 日本东京举行的FD-SOI论坛上发表关于利用22FDX实现下一代创新的演讲。
