May 23, 2016优化的SiGe8XP技术将为大量的RF应用带来低成本、高性能的毫米波20GHz产品 加州圣克拉拉，2016年5月23日— 格芯今天公布了下一代的射频硅设计方案，并将其添加到其矽鍺高性能技术组合当中。此技术在多方面进一步增强了性能，如行车雷达、卫星通信、5G毫米波基站和其他有线或无线通信应用。 格芯的SiGe 8XP技术是公司130纳米高性能SiGe类别里的最新拓展的技术，使客户可以拥有开发更快的流率、更远的距离以及更少功耗的射频方案的能力。对比起它的上一代产品SiGe 8HP，此项先进技术提供改进的异质结双极晶体管性能、低噪音系数、高信号完整性和高达25%的最大震荡频率（增幅至340GHz）。 毫米波频率波段下操作的高带宽通信系统对复杂性和性能的高要求，创造了对高性能硅方案需要，也创造了对高性能SiGe在射频前端5G智能手机和其他毫米波相位阵列消费者应用上的机会。这些应用依赖于SiGe的优异表现，包括通讯基站基建、回程线路、微信和光纤网络。 “5G网络将会对RF SOC设计带来另一个级别的革新，支持高带宽数据传送并达到增加数据传输率和低延迟应用的要求。” 格芯射频业务部高级副总裁Bami Bastani博士说道，“格芯的SiGe 8HP和8XP技术提供性能、功耗、效率之间的出色稳定性，是客户可以对下一代移动和基建类硬件开发独特的射频方案。” “格芯的SiGe技术领导地位和综合性的PDK帮助我们的设计者可以更快的进行优化开发，并更好的提供差异化的毫米波解决方案。”Anokiwave 总裁Robert Donahue说道，“SiGe 8XP使我们将性能带到更高的级别，其面向未来的毫米波方案专为供应商准备，让他们可以市场需求更领先一步，以满足稳定的连接和并处理爆炸式增长的移动数据流量。” 当未来的5G部署持续刺激着基站和小面积单元的流行，SiGe 8HP 和8XP为毫米波频率独特方案的价值、功率输出、效率、低噪音和线性提供了平衡，并可以应用于下一代移动基建硬件和智能手机射频前端。格芯的SiGe 8HP 和8XP高性能产品使芯片设计者可以发展比矽鍺更经济、比CMOS更高性能的技术同时，集成重要的数字与射频功能。 除了在毫米波频率高效操作高性能晶体管外，SiGe 8HP 和8XP引进了可以减小裸晶尺寸增加面积利用率的技术革新。全新的铜金属化功能提供改进的电流传导能力以及在100度时5倍的电流密度，或者，同样电流密度下高于标准铜线25度的操作温度。此外，格芯已经可以提供已通过生产验证的硅通孔技术。 SiGe 8XP设计套装已经为您准备好了。欲了解更多详情关于格芯130纳米SiGe高性能技术方案，欢迎在国际微博论坛活动时参观1443号展台，活动时间5月22到27日，位于加州旧金山，或请登录网址 https://www.globalfoundries.com. Erica McGill GF (518) 305-5978 [email protected]
