IMS 2022

Die IMS widmet sich allen Themen rund um Mikrowellen und RF, darunter zahlreiche Sitzungen zu Technologien und Lösungen von GF, die von GF Labs entwickelt wurden.

Drei Workshops/Sitzungen, präsentiert vom GF-Team

Alex MargomenosBits im Weltraum: Bereitstellung von Konnektivität für die nächsten 4 Milliarden TeilnehmerWorkshop WMB-320. Juni
Purushothaman SrinivasanÜberragende Zuverlässigkeit und geringe Eigenerwärmung eines 45-nm-CMOS-39-GHz-Leistungsverstärkers für 5G-mmWave-AnwendungenRFIC-Sitzung RMo4B20. Juni
Shweta KhokaleLNFET-Bauelement mit 325/475GHz fT/fMAX und 0,47dB NFMIN bei 20GHz für SATCOM-Anwendungen in 45nm PDSOI CMOSRFIC-Sitzung RTu3B21. Juni

30+ Papiere, die GF Technologien und Lösungen detailliert beschreiben

AutorSitzungEinrichtungTechnologieTitel
VoinigescuTu2E-5Universität Toronto22nmKompakter kryogener mm-Wellen-Breitband-SPST-Schalter in 22nm FDSOI CMOS für monolithische Quantenprozessoren
RebeizWSG-4UCSD22nmPhased Arrays der nächsten Generation für drahtlose 6G mm-Wellen-Kommunikation
Zonghao LiWe2C-4Universität Toronto22nmEntwurf und Optimierung einer T-Coil-verstärkten ESD-Schaltung mit Upsampling Convolutional Neural Network
VoinigescuWe2F-1Universität Toronto22nmAktive W-Band-Repeater-Arrays und kognitive Empfänger für OFDM-Radarnetze
R HanWSH-1MIT22nmAuf dem Weg zur hochauflösenden Radarbildgebung im Sub-THz-Bereich
GerfersWe3D-3TU Berlin22nmEin volldifferentieller 146,6-157,4GHz LNA mit Back-Gate-Steuerung zur Anpassung der Verstärkung in 22nm FDSOI
StaszewskiWSF-8Univ College Dublin22nmAuf dem Weg zu Millionen von Qubits in einem Quanten-SoC
Michele SpasaroWe4D-3Aarhus Univ.22nm30-GHz-LNA mit variabler Verstärkung im Sub-mW-Bereich in 22-nm-FDSOI-CMOS für 5G/6G-Phased-Array-Empfänger mit geringem Stromverbrauch und verjüngter mm-Welle
Hua WangTu2D-4GT45nm Ein DC-50GHz DPDT-Schalter mit >27dBm IP1dB in 45nm CMOS SOI
Ahmet Çağrı UlusoyTh3E-2Michigan St45nmEin 18-50GHz Zwei-Phasen-Mischer-First-Empfänger-Frontend in 45-nm-SOI
BuckwalterTh3E-3USCB45nmRekonfigurierbare Millimeterwellen-Leistungsverstärker in GaN und SOI mit passiver Lastmodulation
RebeizWSE-5UCSD45nmHocheffiziente kombinierte D-Band-Mehrwege-Leistungsverstärker in 45nm CMOS RFSOI
BuckwalterWME-3UCSB45nmAnwendungen der Code-Domain-Signalverarbeitung für Voll-Duplex-Funk
Hua WangRMo1B-1GT22nmRauscharmer Verstärker mit kryogener Transformatorrückkopplung von 4,2-9,2 GHz mit 4,5 K Rauschtemperatur und Rauschleistungsanpassung in 22 nm CMOS FDSOI
RaskinWe1B-1UC Louvain22nmEinfluss des Back-Gate-Widerstands auf die AC-Eigenschaften von FD-SOI-MOSFETs 
RebeizRMo1A-5UCSD45nmEin passiver Mischer mit Oberwellenunterdrückung von 8-30 GHz und einer sofortigen IF-Bandbreite von 8 GHz in 45RFSOI
Rebeiz, LiWSG-6UCSD22nm, 45nmPhased Arrays der nächsten Generation für drahtlose 6G mm-Wellen-Kommunikation - 22nm
Issakow, WiegelTu4D-3FAU Erlangen-Nürnberg22nmEin flächeneffizienter mmWave-PRBS-Generator mit geringer Leistung in FDSOI
Sengupta, Zheng LiuWe02C-1PrincetonSiGe HPDeep Learning-gestützter inverser Entwurf eines SiGe-PAs mit 30-94 GHz Psat und 3dB
BuckwalterTu4D-2UCSBSiGe 9HPEin energieeffizienter optischer Empfänger mit variabler Transimpedanz für 60 Gbps in einer 90-nm-SiGe-HBT-Technologie
Sengupta, Zheng LiuWe1G-1PrincetonSiGe HPEin kompakter SiGe Stacked Common-Base Dual-Band PA mit 20/18.8dBm Psat bei 36/64 GHz mit gleichzeitiger Modulation
BozorgiRM04A-1Silicon Austria Labs22nmEin 22-nm-FD-SOI-CMOS-2-Wege-D-Band-Leistungsverstärker mit einer PAE von 7,7 % bei 9,6 dBm OP1dB und 3,1 % bei 6 dB Back-Off durch Nutzung einer adaptiven Back-Gate-Vorspannungstechnik
 P. SrinivasanRMo4B-2GF45nmHervorragende Zuverlässigkeit und geringe Eigenerwärmung eines 45nm CMOS 39GHz Leistungsverstärkers für 5G mmWave Anwendungen
R. Bogdan StaszewskiRTu4B-2Univ College Dublin22nmEin Digital-Zeit-Wandler auf Basis einer Kristalloszillator-Wellenform, der 86fs Jitter in 22nm FD-SOI CMOS erreicht
Shuyang Li, W. ChenRtu4B-2Tsinghua Univ.22nmEin 5,1dBm 127-162GHz Frequenz-Sextupler mit breitbandig kompensierten transformatorbasierten Baluns in 22nm FD-SOI CMOS
BelostotskiRTu1A-4Calgary22nmEin LNA mit einer Eingangsleistungsanpassung von 6,1 bis 38,6 GHz, einem minimalen Rauschwert von 1,9 dB und einem Back-Gate zur Anpassung
FagerRMo3B-3Chalmers22nmEin 11GS/s 2×10b 20-26GHz Modulator mit segmentierten nicht-linearen RF-DACs und nicht-überlappenden LO-Signalen
Hua WangRMo1B-1GT22nmEin 4,2-9,2 GHz Kryogener Transformator-gekoppelter rauscharmer Verstärker mit 4,5K Rauschtemperatur und Rausch-Leistungs-Anpassung in 22nm CMOS
RaskinRM02B-2UC Louvain22nmEin DC-120GHz SPDT-Schalter auf Basis von 22nm FD-SOI SLVT NFETs mit Substrat-Isolationsringen zur Erhöhung der Shunt-Impedanz
H. KrishnaswarmyRMo2A-3Columbia Universität45nmEin 60-GHz-Phased-Array-Transceiver-Chipsatz in 45-nm-RF-SOI mit Kanalaggregation durch HRM-basierte Frequenzverschachtelung
Hamani, et alRM02A-5CEA-Leti45nm56.32Gb/s 16-QAM D-Band Wireless Link unter Verwendung von RX-TX Systems-inPackage mit integrierten Multi-LO Generatoren in 45nm RFSOI
Hua WangRTu1B-3GT45nmKompakter hybrider Strom-Spannungs-Digital-Doherty-Leistungsverstärker mit einem Transformator
S. JainRTu3B-1GF45nmLNFET-Bauelement mit 325/475GHz fT /fMAX und 0,47dB NFMIN bei 20GHz für SATCOM-Anwendungen in 45nm PDSOI CMOS
Ouvrier-Buffet, et alRTu3B-4CEA-Leti45nmMehrton-Frequenzgenerator für gate-basiertes Auslesen von Spin-Qubits
Hua WangRTu4A-4GT45nmEin zeitmoduliertes MIMO-Empfänger-Array für 26 bis 33 GHz mit zeitgleicher spektral-räumlicher Zuordnung und steuerbaren Mehrfachstrahlen mit nur einem Strahlformer und einer Ein-Draht-Schnittstelle