Samsung und GLOBALFOUNDRIES vereinbaren strategische Zusammenarbeit zur Bereitstellung von 14nm FinFET-Halbleitertechnologie aus mehreren Quellen

Gemeinsame Technologie ermöglicht globale Kapazitäten für 14nm FinFET-Fertigung in den USA und Korea

Seoul, Korea und Santa Clara, Kalifornien. 17. April 2014 - Samsung Electronics Co., Ltd. und GLOBALFOUNDRIES gaben heute eine neue strategische Zusammenarbeit bekannt, um globale Kapazitäten für die 14-Nanometer (nm) FinFET-Prozesstechnologie bereitzustellen. Zum ersten Mal wird die branchenweit fortschrittlichste 14-nm-FinFET-Technologie sowohl bei Samsung als auch bei GF verfügbar sein und Kunden die Versorgungssicherheit bieten, die nur durch echte Designkompatibilität bei mehreren Quellen auf der ganzen Welt erreicht werden kann. Die neue Zusammenarbeit wird die weltweit führenden Halbleiterfertigungskapazitäten der beiden Unternehmen nutzen, wobei die Volumenproduktion in Samsungs Fabriken in Hwaseong, Korea, und Austin, Texas, sowie in der Fabrik von GF in Saratoga, New York, stattfindet.

Der von Samsung entwickelte und an GF lizenzierte 14-nm-FinFET-Prozess basiert auf einer Technologieplattform, die sich bereits als führende Wahl für hochvolumige, energieeffiziente System-on-Chip (SoC)-Designs durchgesetzt hat. Die Plattform nutzt die Vorteile der dreidimensionalen, vollständig verarmten FinFET-Transistoren, um die Beschränkungen der planaren Transistortechnologie zu überwinden. Sie ermöglicht eine bis zu 20 Prozent höhere Geschwindigkeit, 35 Prozent weniger Stromverbrauch und eine 15-prozentige Flächenskalierung im Vergleich zur 20-nm-Planar-Technologie der Industrie.

Die Plattform ist die erste FinFET-Technologie in der Industrie foundry , die eine echte Flächenskalierung von 20nm bietet. Die Technologie zeichnet sich durch einen kleineren kontaktierten Gate-Pitch für eine höhere logische Packungsdichte und kleinere SRAM-Bitzellen aus, um die steigende Nachfrage nach Speicherinhalten in fortschrittlichen SoCs zu befriedigen. Gleichzeitig wird das bewährte Interconnect-Schema von 20nm genutzt, um die Vorteile der FinFET-Technologie bei reduziertem Risiko und kürzester Markteinführungszeit zu bieten.

Im Rahmen dieser mehrjährigen exklusiven Technologielizenz sind ab sofort Prozessdesign-Kits (PDKs) erhältlich, die es den Kunden ermöglichen, mit der Entwicklung von Modellen, Designregelhandbüchern und Technologiedateien zu beginnen, die auf der Grundlage der Siliziumergebnisse von 14-nm-FinFET-Testchips entwickelt wurden. Die Massenproduktion für die 14-nm-FinFET-Technologie wird Ende 2014 beginnen.

"Diese beispiellose Zusammenarbeit wird zu einem globalen Kapazitäts-Footprint für die 14-nm-FinFET-Technologie führen, der AMD verbesserte Möglichkeiten bietet, unser innovatives geistiges Eigentum in Silizium auf Spitzentechnologien zu bringen", sagte Lisa Su, Senior Vice President und General Manager of Global Business Units bei AMD. "Die gemeinsame Arbeit von GF und Samsung wird AMD dabei helfen, die nächste Generation bahnbrechender Produkte mit neuen Verarbeitungs- und Grafikfähigkeiten für Geräte bereitzustellen, die von stromsparenden Mobilgeräten über dichte Server der nächsten Generation bis hin zu leistungsstarken Embedded-Lösungen reichen."

"Diese strategische Zusammenarbeit erweitert das Nutzenversprechen eines einzigen GDSII-Multisourcings auf die FinFET-Knoten. Mit dieser echten Multi-Source-Plattform haben Samsung und GF den Zugang zur FinFET-Technologie für Fabless-Halbleiterunternehmen vereinfacht und den Erfolg beim erstmaligen Einsatz von Silizium erhöht", sagte Dr. Stephen Woo, President of System LSI Business, Device Solutions, Samsung Electronics Division. "Durch diese Zusammenarbeit entwickeln wir das Geschäfts- und Supportmodell foundry weiter und erfüllen damit die Wünsche unserer Kunden."

"Die heutige Ankündigung ist ein weiterer Beweis dafür, wie wichtig die Zusammenarbeit ist, um kontinuierliche Innovationen in der Halbleiterfertigung zu ermöglichen", sagte GF-CEO Sanjay Jha. "Mit dieser branchenweit ersten Angleichung der 14-nm-FinFET-Produktionskapazitäten können wir den weltweit führenden Fabless-Halbleiterunternehmen eine größere Auswahl und Flexibilität bieten und gleichzeitig der Fabless-Industrie helfen, ihre Führungsposition auf dem Markt für mobile Geräte zu behaupten.

Über Samsung Electronics Co, Ltd.

Samsung Electronics Co., Ltd. ist ein weltweit führendes Technologieunternehmen, das den Menschen überall neue Möglichkeiten eröffnet. Durch unermüdliche Innovationen und Entdeckungen verändern wir die Welt der Fernsehgeräte, Smartphones, Tablets, PCs, Kameras, Haushaltsgeräte, Drucker, LTE-Systeme, medizinischen Geräte, Halbleiter und LED-Lösungen. Wir beschäftigen 286.000 Mitarbeiter in 80 Ländern mit einem Jahresumsatz von 216,7 Milliarden US-Dollar. Um mehr zu erfahren, besuchen Sie bitte www.samsung.com.

* Anmerkung der Redaktion: Der Geschäftsbereich Foundry von Samsung Electronics unterstützt Fabless- und IDM-Halbleiterunternehmen und bietet Komplettlösungen an, die Design-Kits und bewährte IP bis hin zur schlüsselfertigen Fertigung umfassen, um mit fortschrittlichen IC-Designs am Markt erfolgreich zu sein. Für weitere Informationen besuchen Sie bitte www.samsung.com/. Foundry

Über GF

GF ist der erste Full-Service-Halbleiterhersteller der Welt foundry mit einer wirklich globalen Präsenz. Seit seiner Gründung im März 2009 hat sich das Unternehmen schnell zum zweitgrößten foundry der Welt entwickelt und bietet mehr als 160 Kunden eine einzigartige Kombination aus fortschrittlicher Technologie und Fertigung. Mit Niederlassungen in Singapur, Deutschland und den Vereinigten Staaten ist GF der einzige foundry , der die Flexibilität und Sicherheit von Fertigungszentren auf drei Kontinenten bietet. Die drei 300-mm-Fabriken und die fünf 200-mm-Fabriken des Unternehmens bieten das gesamte Spektrum an Prozesstechnologien, vom Mainstream bis zur Spitzenklasse. Diese globale Produktionspräsenz wird durch wichtige Einrichtungen für Forschung, Entwicklung und Design Enablement unterstützt, die sich in der Nähe von Zentren für Halbleiteraktivitäten in den Vereinigten Staaten, Europa und Asien befinden. GF ist im Besitz der Advanced Technology Investment Company (ATIC). Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com.

KONTAKTE:

Jason Gorss
GF
518-305-9022
[email protected]

Lisa Warren-Plungy
Samsung Semiconductor
408-544-5377
[email protected]

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