GLOBALFOUNDRIES bietet verbesserten 55nm-CMOS-Logikprozess mit ARM-Speicher der nächsten Generation und Logik-IP-Unterstützung für niedrige Spannungen

55nm LPe 1V ist optimiert für ultraniedrigen Stromverbrauch, reduzierte Kosten und verbesserte Designflexibilität

MILPITAS, Kalifornien, 19. Februar 2013 - GLOBALFOUNDRIES kündigte heute weitere Verbesserungen der 55-Nanometer (nm)-Low-Power Enhanced (LPe)-Prozesstechnologieplattform foundry- 55nm LPe 1V - mit qualifizierten Speicher- und Logik-IP-Lösungen der nächsten Generation von ARM an. Der 55-nm-LPe-1V-Prozess ist der erste und einzige verbesserte Prozessknoten der Branche, der ARMs physikalische IP-Bibliothek mit 1,0/1,2 V unterstützt und es Chipdesignern ermöglicht, einen einzigen Prozess zu verwenden, der zwei Betriebsspannungen in einem einzigen SoC unterstützt.

"Der Hauptvorteil dieses 55-nm-LPe-1V-Angebots besteht darin, dass dieselben Design-Bibliotheken verwendet werden können, unabhängig davon, ob man mit einer 1,0- oder 1,2-Spannungsoption entwirft", so Bruce Kleinman, Vice President of Product Marketing bei GF. "Das bedeutet, dass dieselben Designregeln und Modelle verwendet werden können, ohne dass eine zusätzliche Maskenschicht oder ein spezieller Prozess erforderlich ist. Dies führt zu Kosteneinsparungen und Designflexibilität, ohne dass die Leistungs- und Optimierungsfunktionen beeinträchtigt werden."

Basierend auf den 1,0V/1,2V-Standardzellen und Speicher-Compilern von ARM ermöglicht der GF 55nm LPe 1V Entwicklern die Optimierung ihrer Designs in Bezug auf Geschwindigkeit, Stromverbrauch und/oder Fläche und ist besonders vorteilhaft für Designer, die bei der Entwicklung von System-on-Chip-Lösungen mit Leistungseinschränkungen konfrontiert sind.

ARM bietet eine umfassende, silizium-validierte Plattform mit 8-, 9- und 12-Spur-Bibliotheken sowie Hochgeschwindigkeits- und High-Density-Speicher-Compilern für den fortschrittlichen 55-nm-LPe-Prozess von GF.

"Die Kombination aus 1V- und 1,2V-Betrieb zusammen mit unterstützender Level-Shifting-Logik bietet die beste Kombination aus niedrigem Stromverbrauch, hoher Leistung und reduzierter Chipfläche", sagte Dr. John Heinlein, Vice President of Marketing, Physical IP Division bei ARM. "Die Unterstützung der Dual-Voltage-Domain-Charakterisierung in Verbindung mit der Artisan-Speicher-Compiler-Architektur der nächsten Generation reduziert den dynamischen Stromverbrauch und die Leckage um mehr als 35 Prozent im Vergleich zu bisher verfügbaren Lösungen."

Der 55nm LPe 1V eignet sich besonders für hochvolumige, batteriebetriebene mobile Verbrauchergeräte sowie für eine breite Palette von umweltfreundlichen oder energiesparenden Produkten. PDK- und EDA-Tools sind ab sofort verfügbar, ebenso wie MPW-Shuttle-Verfügbarkeit.
Artisan-Speicher bieten flexible Fertigungsoptionen und werden weltweit in Milliarden von Produkten eingesetzt. Als Teil einer breiteren Plattform von Artisan Physical IP von 65nm bis 20nm umfassen diese Speicher der nächsten Generation Niederspannungs- und Stand-by-Modi, die eine längere Batterielebensdauer ermöglichen, Ultra-High-Speed-Caches für maximale Prozessorgeschwindigkeit und proprietäre Designtechniken, die zu einer Reduzierung der Fläche für kostengünstige SoC-Designs führen.

ÜBER GF

GF ist der erste Full-Service-Halbleiterhersteller der Welt foundry mit einer wirklich globalen Präsenz. Seit seiner Gründung im März 2009 hat sich das Unternehmen schnell zum zweitgrößten foundry der Welt entwickelt und bietet mehr als 150 Kunden eine einzigartige Kombination aus fortschrittlicher Technologie und Fertigung. Mit Niederlassungen in Singapur, Deutschland und den Vereinigten Staaten ist GF der einzige foundry , der die Flexibilität und Sicherheit von Fertigungszentren auf drei Kontinenten bietet. Die drei 300-mm-Fabriken und die fünf 200-mm-Fabriken des Unternehmens bieten das gesamte Spektrum an Prozesstechnologien, vom Mainstream bis zur Spitzenklasse. Diese globale Produktionspräsenz wird durch wichtige Einrichtungen für Forschung, Entwicklung und Design Enablement unterstützt, die sich in der Nähe von Zentren für Halbleiteraktivitäten in den Vereinigten Staaten, Europa und Asien befinden. GF ist im Besitz der Advanced Technology Investment Company (ATIC). Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com.

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