GLOBALFOUNDRIES kündigt die branchenweit erste 300-mm-SiGe-Technologie Foundry an, die den wachsenden Anforderungen von Rechenzentren und Hochgeschwindigkeits-Wireless-Anwendungen gerecht wird

Die branchenweit fortschrittlichste Hochgeschwindigkeits-SiGe-Technologie ist jetzt auf einer 300-mm-Fertigungslinie für Terabit-Kommunikations- und Automobilradaranwendungen verfügbar

Santa Clara, Kalifornien, 29. November 2018 - GLOBALFOUNDRIES gab heute bekannt, dass sein fortschrittliches Silizium-Germanium (SiGe)-Angebot, 9HP, jetzt für das Prototyping auf der 300mm-Wafer-Fertigungsplattform des Unternehmens verfügbar ist. Dieser Schritt ist ein Zeichen für das starke Wachstum von Rechenzentren und drahtgebundenen und drahtlosen Hochgeschwindigkeitsanwendungen, die die Größenvorteile einer 300-mm-Fertigungsplattform nutzen können. Durch die Nutzung der 300-mm-Fertigungsexpertise von GF können Kunden von einer höheren Produktionseffizienz und Reproduzierbarkeit für Hochgeschwindigkeitsanwendungen wie optische Netzwerke, drahtlose 5G-Millimeterwellen-Kommunikation und Kfz-Radar profitieren.

GF ist Branchenführer bei der Herstellung von Hochleistungs-SiGe-Lösungen in seiner 200-mm-Produktionslinie in Burlington, Vermont. Mit der Migration von 9HP, einem 90-nm-SiGe-Prozess, auf 300-mm-Wafer, die in der Fab 10 von GF in East Fishkill, N.Y., hergestellt werden, wird diese Führungsposition weiter ausgebaut und eine 300-mm-Basis für die weitere Entwicklung der Roadmap geschaffen, die eine kontinuierliche Verbesserung der Technologieleistung und Skalierung gewährleistet.

"Die zunehmende Komplexität und die Leistungsanforderungen von Kommunikationssystemen mit hoher Bandbreite haben den Bedarf an leistungsfähigeren Siliziumlösungen entstehen lassen", so Christine Dunbar, Vice President der RF Business Unit bei GF. "GF's 9HP wurde speziell für eine herausragende Leistung entwickelt und wird in der 300mm-Fertigung die Anforderungen unserer Kunden an drahtgebundene und drahtlose Hochgeschwindigkeits-Komponenten erfüllen, die die zukünftige Datenkommunikation prägen werden". 

Der 9HP von GF ist die Fortsetzung einer langen Geschichte von Hochleistungs-SiGe-BiCMOS-Technologien, die das massive Wachstum extrem hoher Datenraten bei Mikrowellen- und Millimeterwellenfrequenzen für die nächste Generation von drahtlosen Netzwerken und Kommunikationsinfrastrukturen unterstützen, wie z. B. optische Netzwerke auf Terabit-Ebene, 5G mmWave und Satellitenkommunikation (SATCOM) sowie Mess- und Verteidigungssysteme. Die Technologie bietet eine überragende Niederstrom-/Hochfrequenzleistung mit verbesserter Heteroübergangs-Bipolartransistor (HBT)-Leistung und eine um bis zu 35 Prozent höhere maximale Oszillationsfrequenz (Fmax) bis 370 GHz im Vergleich zu den Vorgängern SiGe 8XP und 8HP.

Der Kundenprototyping-Prozess für 9HP auf 300 mm in Fab 10 in East Fishkill, N.Y., auf Multiprojekt-Wafern (MPWs) ist bereits im Gange; qualifizierte Prozess- und Design-Kits sind für das zweite Quartal 2019 geplant.

Weitere Informationen zu den SiGe-Lösungen von GF erhalten Sie bei Ihrem GLOBALFOUNDRIES-Vertriebsmitarbeiter oder unter globalfoundries.com.

Über GF

GLOBALFOUNDRIES (GF) ist ein führender Full-Service-Anbieter ( foundry ), der differenzierte Halbleitertechnologien für eine Reihe von wachstumsstarken Märkten anbietet. GF bietet eine einzigartige Kombination aus Design-, Entwicklungs- und Fertigungsdienstleistungen mit einer Reihe von innovativen IP und funktionsreichen Angeboten, darunter FinFET, FDX™, RF und Analog Mixed Signal. Mit einer Produktionspräsenz, die sich über drei Kontinente erstreckt, verfügt GF über die Flexibilität und Agilität, um die dynamischen Anforderungen von Kunden auf der ganzen Welt zu erfüllen. GF ist im Besitz der Mubadala Investment Company. Weitere Informationen finden Sie unter globalfoundries.com.

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