November 20, 2025 Neue Technologie- und foundry erweitert die US-Kapazitäten für fortschrittliche GaN-Technologie, Design und Fertigung im Maßstab 1:1, um eine breite Palette von Power-Management-Anwendungen zu unterstützen MALTA, N.Y. und TORRANCE, C.A., 20. November 2025 - GlobalFoundries (Nasdaq: GFS) (GF) und Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) gaben heute eine langfristige strategische Partnerschaft zur Stärkung und Beschleunigung der Galliumnitrid (GaN)-Technologie, des Designs und der Fertigung in den USA bekannt. Gemeinsam werden die Unternehmen zusammenarbeiten und fortschrittliche Lösungen für kritische Anwendungen in Hochleistungsmärkten entwickeln und bereitstellen, die höchste Effizienz und Leistungsdichte erfordern, darunter KI-Rechenzentren, Hochleistungscomputer, Energie- und Netzinfrastrukturen sowie die industrielle Elektrifizierung. Navitas Semiconductor, ein Pionier auf dem Gebiet der GaN- und Hochspannungs-SiC-Technologien, hat GaN bereits erfolgreich in Massenmärkten wie Schnellladegeräten für Mobiltelefone, Verbrauchern, Hochleistungscomputern, Elektrofahrzeugen, Energiespeichern und Industriegeräten eingesetzt und arbeitet daran, die Einführung von GaN in Hochspannungsmärkten zu beschleunigen. GF verfügt über jahrzehntelange Erfahrung als zuverlässiger globaler foundry , der eine zuverlässige, qualitativ hochwertige Produktion in großem Maßstab gewährleistet. Im Rahmen dieser langfristigen Partnerschaft werden GF und Navitas Semiconductor die GaN-Technologie der nächsten Generation am GF-Standort in Burlington, Vermont, herstellen und dabei das Know-how des Standorts in der Hochspannungs-GaN-on-Silicon-Technologie sowie die langjährige Erfahrung von Navitas Semiconductor in der GaN-Technologie und -Bauelementen nutzen. Die Entwicklung ist für Anfang 2026 geplant, die Produktion soll später im Jahr beginnen. Durch die Kombination der erstklassigen Fertigungskapazitäten von GF und der führenden Rolle von Navitas im Bereich der GaN-Innovation wird diese strategische Partnerschaft den Kunden die fortschrittlichsten, sichersten und skalierbarsten GaN-Lösungen bieten. Gemeinsam werden die Unternehmen es ihren Kunden ermöglichen, einen amerikanischen Weg für GaN zu finden, der die nationale Sicherheit und Wettbewerbsfähigkeit unterstützt und gleichzeitig die Dekarbonisierung der nächsten Generation von Energie- und Rechenplattformen vorantreibt. "GaN verändert die Art und Weise, wie die Welt Energie bewegt. Diese Partnerschaft ist ein bedeutender Schritt für die Führungsrolle der USA im Halbleiterbereich und den Einsatz der GaN-Technologie für wichtige Anwendungen", sagte Tim Breen, CEO von GlobalFoundries. "Durch den Zusammenschluss mit Navitas ermöglichen wir eine sichere und nachhaltige Lieferkette für GaN-Technologien, die die Zukunft von KI, Energie und industrieller Innovation vorantreiben." "Unsere Zusammenarbeit und Partnerschaft mit GF stellt sicher, dass Navitas die von unseren Kunden geforderte Leistung, Effizienz und Skalierbarkeit liefern und diese Lösungen für kritische und nationale Sicherheitsanwendungen in den Vereinigten Staaten herstellen kann", sagte Chris Allexandre, Präsident und CEO von Navitas. "Gemeinsam schaffen wir die Grundlage für Anwendungen der nächsten Generation, die für die nationale Wettbewerbsfähigkeit und die Nachhaltigkeit der Energieversorgung entscheidend sind. Unsere Partnerschaft mit GF ist ein weiterer Meilenstein und Schritt nach vorn für Navitas 2.0". Über GF GlobalFoundries (GF) ist ein führender Hersteller von Halbleitern, auf die sich die Welt zum Leben, Arbeiten und Vernetzen verlässt. Wir sind innovativ und arbeiten mit unseren Kunden zusammen, um energieeffizientere und leistungsfähigere Produkte für die Automobilindustrie, intelligente mobile Geräte, das Internet der Dinge, Kommunikationsinfrastrukturen und andere wachstumsstarke Märkte zu entwickeln. Mit seiner globalen Produktionsbasis, die sich über die USA, Europa und Asien erstreckt, ist GF eine vertrauenswürdige und zuverlässige Quelle für Kunden in aller Welt. Jeden Tag liefert unser talentiertes globales Team Ergebnisse mit einem unnachgiebigen Fokus auf Sicherheit, Langlebigkeit und Nachhaltigkeit. Weitere Informationen finden Sie unter www.gf.com. Über Navitas Navitas Semiconductor ist ein führender Anbieter von Leistungshalbleitern der nächsten Generation in den Bereichen Galliumnitrid (GaN) und integrierte ICs sowie Hochspannungs-Siliziumkarbid (SiC)-Technologie und treibt Innovationen in den Bereichen KI-Rechenzentren, Performance Computing, Energie- und Netzinfrastruktur sowie industrielle Elektrifizierung voran. Mit mehr als 30 Jahren Erfahrung im Bereich der Wide-Bandgap-Technologien integrieren GaNFast™ Leistungs-ICs GaN-Leistung, Antrieb, Steuerung, Sensorik und Schutz und sorgen so für eine schnellere Leistungsbereitstellung, höhere Systemdichte und größere Effizienz. GeneSiC™-Hochspannungs-SiC-Bauelemente nutzen die patentierte Trench-Assisted-Planar-Technologie, um branchenführende Spannungsfähigkeit, Effizienz und Zuverlässigkeit für Mittelspannungsnetzinfrastrukturanwendungen zu bieten. Navitas verfügt über mehr als 300 erteilte oder angemeldete Patente und ist das weltweit erste Halbleiterunternehmen, das CarbonNeutral®-zertifiziert ist. Zukunftsorientierte Informationen Diese Pressemitteilung kann zukunftsgerichtete Aussagen enthalten, die mit Risiken und Ungewissheiten verbunden sind. Die Leser werden davor gewarnt, sich auf diese zukunftsgerichteten Aussagen zu verlassen. Diese zukunftsgerichteten Aussagen gelten nur zum Zeitpunkt der Veröffentlichung dieser Pressemitteilung. Weder GF noch Navitas Semiconductor sind verpflichtet, diese zukunftsgerichteten Aussagen zu aktualisieren, um sie an Ereignisse oder Umstände nach dem Datum dieser Pressemitteilung oder an die tatsächlichen Ergebnisse anzupassen, sofern dies nicht gesetzlich vorgeschrieben ist. Ansprechpartner für die Medien: GF Stephanie Gonzalez [email protected] Navitas Halbleiter Vipin Bothra [email protected]
